Microchip Technology - TP2104N3-G

KEY Part #: K6401065

TP2104N3-G ราคา (USD) [155867ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.24125
  • 25 pcs$0.19933
  • 100 pcs$0.18272

ส่วนจำนวน:
TP2104N3-G
ผู้ผลิต:
Microchip Technology
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Microchip Technology TP2104N3-G electronic components. TP2104N3-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TP2104N3-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TP2104N3-G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : TP2104N3-G
ผู้ผลิต : Microchip Technology
ลักษณะ : MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 40V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 175mA (Tj)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 60pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 740mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-92-3
แพ็คเกจ / เคส : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)