ผู้ผลิต :
Rohm Semiconductor
ลักษณะ :
TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
ประเภททรานซิสเตอร์ :
NPN - Pre-Biased
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
100mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
50V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) :
2.2 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอีซีแอล (R2) :
47 kOhms
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
150mV @ 500µA, 5mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
-
ความถี่ - การเปลี่ยน :
250MHz
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
UMT3F