STMicroelectronics - STFI18N65M2

KEY Part #: K6397422

STFI18N65M2 ราคา (USD) [60323ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.65144
  • 1,500 pcs$0.64820

ส่วนจำนวน:
STFI18N65M2
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs and ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in STMicroelectronics STFI18N65M2 electronic components. STFI18N65M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STFI18N65M2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STFI18N65M2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : STFI18N65M2
ผู้ผลิต : STMicroelectronics
ลักษณะ : MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP
ชุด : *
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : -
เทคโนโลยี : -
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : -
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : -
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : -
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
Vgs (สูงสุด) : -
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : -
อุณหภูมิในการทำงาน : -
ประเภทการติดตั้ง : -
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : -
แพ็คเกจ / เคส : -

คุณอาจสนใจด้วย
  • FCD7N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FCD900N60Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3.

  • FCD380N60E

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK.

  • FCD1300N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 4A TO252.

  • FCD3400N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.

  • FCD260N65S3

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 260MOHM TO252.