Infineon Technologies - IRLR3410TRRPBF

KEY Part #: K6420631

IRLR3410TRRPBF ราคา (USD) [221309ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.16713
  • 3,000 pcs$0.16037

ส่วนจำนวน:
IRLR3410TRRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IRLR3410TRRPBF electronic components. IRLR3410TRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR3410TRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLR3410TRRPBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IRLR3410TRRPBF
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
ชุด : HEXFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Not For New Designs
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 17A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 34nC @ 5V
Vgs (สูงสุด) : ±16V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 800pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 79W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D-Pak
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

คุณอาจสนใจด้วย