Nexperia USA Inc. - 2N7002,235

KEY Part #: K6421717

2N7002,235 ราคา (USD) [3125715ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.01189
  • 10,000 pcs$0.01183

ส่วนจำนวน:
2N7002,235
ผู้ผลิต:
Nexperia USA Inc.
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - RF and ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Nexperia USA Inc. 2N7002,235 electronic components. 2N7002,235 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7002,235, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N7002,235 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : 2N7002,235
ผู้ผลิต : Nexperia USA Inc.
ลักษณะ : MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
ชุด : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 300mA (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 50pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 830mW (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -65°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-236AB
แพ็คเกจ / เคส : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

คุณอาจสนใจด้วย
  • FGD3N60LSDTM

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 40W DPAK.

  • SI3434-TP

    Micro Commercial Co

    MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT23.

  • BSS316NH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23.

  • FDV301N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23.

  • SSM3J325F,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI.

  • BSS138

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23.