Vishay Siliconix - SIHP14N50D-GE3

KEY Part #: K6392945

SIHP14N50D-GE3 ราคา (USD) [61718ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.63669
  • 1,000 pcs$0.63353

ส่วนจำนวน:
SIHP14N50D-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SIHP14N50D-GE3 electronic components. SIHP14N50D-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHP14N50D-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHP14N50D-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SIHP14N50D-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 500V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 14A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1144pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 208W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220AB
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

คุณอาจสนใจด้วย