Infineon Technologies - IRFI4229PBF

KEY Part #: K6404148

IRFI4229PBF ราคา (USD) [25621ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.54245
  • 10 pcs$1.37675
  • 100 pcs$1.07113
  • 500 pcs$0.86736
  • 1,000 pcs$0.73150

ส่วนจำนวน:
IRFI4229PBF
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IRFI4229PBF electronic components. IRFI4229PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFI4229PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFI4229PBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IRFI4229PBF
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP
ชุด : HEXFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 250V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 19A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4480pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 46W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220AB
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

คุณอาจสนใจด้วย