IXYS - IXTT69N30P

KEY Part #: K6394586

IXTT69N30P ราคา (USD) [12004ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$3.79524
  • 30 pcs$3.77636

ส่วนจำนวน:
IXTT69N30P
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 300V 69A TO-268.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXTT69N30P electronic components. IXTT69N30P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTT69N30P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT69N30P คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXTT69N30P
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
ชุด : PolarHT™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 300V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 69A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 49 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4960pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 500W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-268
แพ็คเกจ / เคส : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA