ส่วนจำนวน :
2SB1457(T6CNO,A,F)
ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
TRANS PNP 2A 100V TO226-3
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
2A
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
100V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
1.5V @ 1mA, 1A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
10µA (ICBO)
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
2000 @ 1A, 2V
ความถี่ - การเปลี่ยน :
50MHz
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส :
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-92MOD