ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET P-CH 20V 0.77A DFN1006-3
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
770mA (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
495 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
700mV @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
1.5nC @ 8V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
76.5pF @ 10V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
430mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
3-DFN1006 (1.0x0.6)