Diodes Incorporated - DMN61D8LVT-13

KEY Part #: K6522529

DMN61D8LVT-13 ราคา (USD) [520661ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.07104
  • 10,000 pcs$0.06261

ส่วนจำนวน:
DMN61D8LVT-13
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Diodes Incorporated DMN61D8LVT-13 electronic components. DMN61D8LVT-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN61D8LVT-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN61D8LVT-13 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DMN61D8LVT-13
ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 630mA
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 0.74nC @ 5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 12.9pF @ 12V
พลังงาน - สูงสุด : 820mW
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TSOT-26

คุณอาจสนใจด้วย