IXYS - IXYN100N120C3H1

KEY Part #: K6532576

IXYN100N120C3H1 ราคา (USD) [2298ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$19.73195
  • 10 pcs$18.45324
  • 25 pcs$17.06649
  • 100 pcs$15.99983

ส่วนจำนวน:
IXYN100N120C3H1
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
IGBT XPT 1200V 134A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXYN100N120C3H1 electronic components. IXYN100N120C3H1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXYN100N120C3H1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXYN100N120C3H1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXYN100N120C3H1
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : IGBT XPT 1200V 134A SOT-227B
ชุด : XPT™, GenX3™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท IGBT : -
องค์ประกอบ : Single
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 134A
พลังงาน - สูงสุด : 690W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 3.5V @ 15V, 100A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 50µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 6nF @ 25V
อินพุต : Standard
เทอร์มิสเตอร์ NTC : No
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส : SOT-227-4, miniBLOC
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-227B

คุณอาจสนใจด้วย
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.