ON Semiconductor - FQP19N20C_F080

KEY Part #: K6407599

[917ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    FQP19N20C_F080
    ผู้ผลิต:
    ON Semiconductor
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 200V 19A TO-220.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in ON Semiconductor FQP19N20C_F080 electronic components. FQP19N20C_F080 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQP19N20C_F080, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQP19N20C_F080 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : FQP19N20C_F080
    ผู้ผลิต : ON Semiconductor
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
    ชุด : QFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 200V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 19A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 9.5A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 53nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±30V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1080pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 139W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220-3
    แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

    คุณอาจสนใจด้วย
    • ZVN0124A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

    • ZVNL110ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • ZVN4206AVSTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

    • 2N7000-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

    • BS170_J35Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • TK50P04M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3.