Infineon Technologies - IRFSL3607PBF

KEY Part #: K6402389

IRFSL3607PBF ราคา (USD) [53440ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.77767
  • 10 pcs$0.70324
  • 100 pcs$0.56502
  • 500 pcs$0.43945
  • 1,000 pcs$0.34443

ส่วนจำนวน:
IRFSL3607PBF
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 75V 80A TO-262.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IRFSL3607PBF electronic components. IRFSL3607PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFSL3607PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFSL3607PBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IRFSL3607PBF
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 75V 80A TO-262
ชุด : HEXFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 75V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 80A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 100µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 84nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3070pF @ 50V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 140W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-262
แพ็คเกจ / เคส : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

คุณอาจสนใจด้วย