ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
MOSFET N/P-CH 100V 8SOIC
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
ประเภท FET :
N and P-Channel
คุณสมบัติของ FET :
Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
2.1A, 1.5A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
210 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
28nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
380pF @ 25V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-SO