Vishay Semiconductor Diodes Division - SBLB10L30-E3/45

KEY Part #: K6445639

[2039ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    SBLB10L30-E3/45
    ผู้ผลิต:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SBLB10L30-E3/45 electronic components. SBLB10L30-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBLB10L30-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SBLB10L30-E3/45 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : SBLB10L30-E3/45
    ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
    ลักษณะ : DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภทไดโอด : Schottky
    แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 30V
    ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 10A
    แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 520mV @ 10A
    ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
    ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 1mA @ 30V
    ความจุ @ Vr, F : -
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-263AB
    อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -65°C ~ 150°C

    คุณอาจสนใจด้วย
    • PMEG2010AEK,115

      NXP USA Inc.

      DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMT3.

    • BAT54WH6327XTSA1

      Infineon Technologies

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

    • IDB45E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

    • IDB15E60

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode

    • IDB09E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263.

    • SBL1030HE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO220AB.