Renesas Electronics America - RJL6018DPK-00#T0

KEY Part #: K6403927

[2188ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    RJL6018DPK-00#T0
    ผู้ผลิต:
    Renesas Electronics America
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 600V 27A TO3P.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด and ไทริสเตอร์ - TRIACs ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Renesas Electronics America RJL6018DPK-00#T0 electronic components. RJL6018DPK-00#T0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJL6018DPK-00#T0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RJL6018DPK-00#T0 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : RJL6018DPK-00#T0
    ผู้ผลิต : Renesas Electronics America
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 27A TO3P
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Active
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 27A (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 265 mOhm @ 13.5A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : -
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 98nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±30V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3830pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 200W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-3P
    แพ็คเกจ / เคส : TO-3P-3, SC-65-3

    คุณอาจสนใจด้วย
    • AUIRFR8405

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8403

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8401

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • 2SK3309(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

    • FQD3N50CTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

    • IRLR3715TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.