ส่วนจำนวน :
DMT6002LPS-13
ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060
ชุด :
Automotive, AEC-Q101
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
100A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
3V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
130.8nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
6555pF @ 30V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
2.3W
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PowerDI5060-8
แพ็คเกจ / เคส :
8-PowerTDFN