Comchip Technology - CDBJFSC5650-G

KEY Part #: K6441904

CDBJFSC5650-G ราคา (USD) [29974ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.37498

ส่วนจำนวน:
CDBJFSC5650-G
ผู้ผลิต:
Comchip Technology
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว and ไทริสเตอร์ - TRIACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Comchip Technology CDBJFSC5650-G electronic components. CDBJFSC5650-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBJFSC5650-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBJFSC5650-G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : CDBJFSC5650-G
ผู้ผลิต : Comchip Technology
ลักษณะ : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Silicon Carbide Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 650V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 5A (DC)
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.7V @ 5A
ความเร็ว : No Recovery Time > 500mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 0ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 100µA @ 650V
ความจุ @ Vr, F : 430pF @ 0V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-2 Full Pack
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220F
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 175°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • CDBDSC51200-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

  • VS-30EPH06-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast

  • VS-E4PU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-60APH03-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt

  • VS-30APF10-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

  • VS-60APU04-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 400V Ultrafast 50ns FRED Pt