ON Semiconductor - FQPF9N25CYDTU

KEY Part #: K6419256

FQPF9N25CYDTU ราคา (USD) [99980ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.39304
  • 800 pcs$0.39109

ส่วนจำนวน:
FQPF9N25CYDTU
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor FQPF9N25CYDTU electronic components. FQPF9N25CYDTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF9N25CYDTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQPF9N25CYDTU คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FQPF9N25CYDTU
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
ชุด : QFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 250V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 8.8A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 430 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 710pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 38W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220F-3 (Y-Forming)
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3 Full Pack, Formed Leads