ส่วนจำนวน :
APTGF15A120T1G
ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
IGBT MODULE NPT PHASE 1200V SP1
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
25A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
3.7V @ 15V, 15A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
250µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce :
1nF @ 25V
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SP1