ผู้ผลิต :
Renesas Electronics America Inc.
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
ประเภท FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
คุณสมบัติของ FET :
Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
10.1A (Ta)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
9.8 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1.5V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
11nC @ 4V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
1125pF @ 10V
พลังงาน - สูงสุด :
3.6W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
4-XFLGA, CSP
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
4-WLCSP (1.82x1.82)