Infineon Technologies - IPB200N15N3GATMA1

KEY Part #: K6418419

IPB200N15N3GATMA1 ราคา (USD) [62931ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.62132

ส่วนจำนวน:
IPB200N15N3GATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPB200N15N3GATMA1 electronic components. IPB200N15N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB200N15N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB200N15N3GATMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPB200N15N3GATMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
ชุด : OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 150V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 50A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 90µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1820pF @ 75V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 150W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D²PAK (TO-263AB)
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

คุณอาจสนใจด้วย
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.