ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6
ประเภท FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
คุณสมบัติของ FET :
Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
1200V (1.2kV)
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
60A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
175 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
5V @ 10mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
748nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
20600pF @ 25V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SP6