Infineon Technologies - IRFR9120NTRLPBF

KEY Part #: K6420802

IRFR9120NTRLPBF ราคา (USD) [258217ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.14324
  • 3,000 pcs$0.12289

ส่วนจำนวน:
IRFR9120NTRLPBF
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IRFR9120NTRLPBF electronic components. IRFR9120NTRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR9120NTRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR9120NTRLPBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IRFR9120NTRLPBF
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
ชุด : HEXFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 6.6A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 480 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 350pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 40W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D-Pak
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

คุณอาจสนใจด้วย