Toshiba Semiconductor and Storage - CLH02(TE16L,Q)

KEY Part #: K6441104

[3589ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    CLH02(TE16L,Q)
    ผู้ผลิต:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    DIODE GEN PURP 300V 3A L-FLAT.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด and ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CLH02(TE16L,Q) electronic components. CLH02(TE16L,Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CLH02(TE16L,Q), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    CLH02(TE16L,Q) คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : CLH02(TE16L,Q)
    ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
    ลักษณะ : DIODE GEN PURP 300V 3A L-FLAT
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภทไดโอด : Standard
    แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 300V
    ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 3A (DC)
    แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.3V @ 3A
    ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 35ns
    ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 10µA @ 300V
    ความจุ @ Vr, F : -
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : L-FLAT™
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : L-FLAT™ (4x5.5)
    อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -40°C ~ 150°C

    คุณอาจสนใจด้วย
    • IDB10S60CATMA2

      Infineon Technologies

      DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK.

    • VS-8EWF04S-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3

    • VS-MURB1520TRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 15A D2PAK.

    • VS-20ETS08STRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.

    • VS-20ETS12STRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK.

    • VS-15TQ060STRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK.