Microsemi Corporation - APTGT50DDA120T3G

KEY Part #: K6533146

APTGT50DDA120T3G ราคา (USD) [2171ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$19.94701
  • 100 pcs$19.48626

ส่วนจำนวน:
APTGT50DDA120T3G
ผู้ผลิต:
Microsemi Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ and ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT50DDA120T3G electronic components. APTGT50DDA120T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT50DDA120T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT50DDA120T3G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : APTGT50DDA120T3G
ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
ลักษณะ : POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP3
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท IGBT : Trench Field Stop
องค์ประกอบ : Dual Boost Chopper
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 75A
พลังงาน - สูงสุด : 270W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 50A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 250µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 3.6nF @ 25V
อินพุต : Standard
เทอร์มิสเตอร์ NTC : Yes
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส : SP3
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SP3