IXYS - IXFA4N60P3

KEY Part #: K6394601

IXFA4N60P3 ราคา (USD) [62346ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.62715
  • 350 pcs$0.55189

ส่วนจำนวน:
IXFA4N60P3
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXFA4N60P3 electronic components. IXFA4N60P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFA4N60P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA4N60P3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFA4N60P3
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA
ชุด : HiPerFET™, Polar3™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 4A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 6.9nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 365pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 114W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-263 (IXFA)
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB