ลักษณะ :
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
สถานะส่วนหนึ่ง :
Not For New Designs
เทคโนโลยี :
GaNFET (Gallium Nitride)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
650V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
16A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.6V @ 500µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
6.2nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
720pF @ 480V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
81W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PQFN (8x8)
แพ็คเกจ / เคส :
3-PowerDFN