IXYS - IXTA1N120P

KEY Part #: K6394625

IXTA1N120P ราคา (USD) [32472ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.40312
  • 50 pcs$1.39614

ส่วนจำนวน:
IXTA1N120P
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXTA1N120P electronic components. IXTA1N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA1N120P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA1N120P คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXTA1N120P
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263
ชุด : PolarVHV™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 1A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 50µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 17.6nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 550pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 63W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-263 (IXTA)
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB