ส่วนจำนวน :
AIHD15N60RFATMA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
IC DISCRETE 600V TO252-3
ประเภท IGBT :
Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
600V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
30A
ปัจจุบัน - Collector Pulsed (Icm) :
45A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.5V @ 15V, 15A
การสลับพลังงาน :
270µJ (on), 250µJ (off)
Td (เปิด / ปิด) @ 25 ° c :
13ns/160ns
ทดสอบสภาพ :
400V, 15A, 15 Ohm, 15V
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
-
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PG-TO252-3-313