ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
IGBT 600V 150A 452W TO247
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
600V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
150A
ปัจจุบัน - Collector Pulsed (Icm) :
225A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 75A
การสลับพลังงาน :
3.05mJ (on), 1.35mJ (off)
Td (เปิด / ปิด) @ 25 ° c :
27ns/128ns
ทดสอบสภาพ :
400V, 75A, 3 Ohm, 15V
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
-
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-247