ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
ประเภท FET :
N and P-Channel
คุณสมบัติของ FET :
Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
25V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
680mA, 460mA
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
2.3nC @ 5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
50pF @ 10V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SuperSOT™-6