ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333
ประเภท FET :
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET :
Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
32A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
7nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
393pF @ 15V
พลังงาน - สูงสุด :
900mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
8-PowerVDFN
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PowerDI3333-8