Vishay Semiconductor Diodes Division - BYV28-200-TR

KEY Part #: K6440215

BYV28-200-TR ราคา (USD) [196472ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.18920
  • 12,500 pcs$0.18826

ส่วนจำนวน:
BYV28-200-TR
ผู้ผลิต:
Vishay Semiconductor Diodes Division
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64. Rectifiers 3.5 Amp 200 Volt 90 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYV28-200-TR electronic components. BYV28-200-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV28-200-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYV28-200-TR คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BYV28-200-TR
ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ : DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Avalanche
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 200V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 3.5A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.1V @ 5A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 30ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 1µA @ 200V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจ / เคส : SOD-64, Axial
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOD-64
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 175°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • SE10FD-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FDHM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FG-M3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FJ-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V ESD Prot SMF Rectifier