Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB50LP120N

KEY Part #: K6533288

VS-GB50LP120N ราคา (USD) [1544ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$28.02579
  • 24 pcs$26.69129

ส่วนจำนวน:
VS-GB50LP120N
ผู้ผลิต:
Vishay Semiconductor Diodes Division
คำอธิบายโดยละเอียด:
IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB50LP120N electronic components. VS-GB50LP120N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GB50LP120N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB50LP120N คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : VS-GB50LP120N
ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ : IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท IGBT : -
องค์ประกอบ : Single
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 100A
พลังงาน - สูงสุด : 446W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 1.7V @ 15V, 50A (Typ)
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 1mA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 4.29nF @ 25V
อินพุต : Standard
เทอร์มิสเตอร์ NTC : No
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส : INT-A-PAK (3 + 4)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : INT-A-PAK

คุณอาจสนใจด้วย
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

  • APTGT100DU60TG

    Microsemi Corporation

    POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4.

  • MG06400D-BN4MM

    Littelfuse Inc.

    IGBT 600V 500A 1250W PKG D.