ส่วนจำนวน :
C3M0065090J-TR
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
เทคโนโลยี :
SiCFET (Silicon Carbide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
900V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
35A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
15V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.1V @ 5mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
30nC @ 15V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
660pF @ 600V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
113W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
D2PAK-7
แพ็คเกจ / เคส :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA