STMicroelectronics - STU8N80K5

KEY Part #: K6395966

STU8N80K5 ราคา (USD) [22160ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.74958
  • 10 pcs$1.56360
  • 100 pcs$1.28200
  • 500 pcs$0.98485
  • 1,000 pcs$0.83060

ส่วนจำนวน:
STU8N80K5
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N CH 800V 6A IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ and ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in STMicroelectronics STU8N80K5 electronic components. STU8N80K5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STU8N80K5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STU8N80K5 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : STU8N80K5
ผู้ผลิต : STMicroelectronics
ลักษณะ : MOSFET N CH 800V 6A IPAK
ชุด : SuperMESH5™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 800V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 6A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 100µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 16.5nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 450pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 110W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-251
แพ็คเกจ / เคส : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

คุณอาจสนใจด้วย