Vishay Siliconix - SQA410EJ-T1_GE3

KEY Part #: K6421109

SQA410EJ-T1_GE3 ราคา (USD) [349848ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.10573
  • 3,000 pcs$0.08989

ส่วนจำนวน:
SQA410EJ-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว and ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SQA410EJ-T1_GE3 electronic components. SQA410EJ-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQA410EJ-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQA410EJ-T1_GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SQA410EJ-T1_GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6
ชุด : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 7.8A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 8nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : ±8V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 485pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 13.6W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PowerPAK® SC-70-6 Single
แพ็คเกจ / เคส : PowerPAK® SC-70-6

คุณอาจสนใจด้วย