ส่วนจำนวน :
IRF610STRLPBF
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
3.3A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
8.2nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
140pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
3W (Ta), 36W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
D2PAK
แพ็คเกจ / เคส :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB