Renesas Electronics America - HAT2197R-EL-E

KEY Part #: K6408935

[455ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    HAT2197R-EL-E
    ผู้ผลิต:
    Renesas Electronics America
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Renesas Electronics America HAT2197R-EL-E electronic components. HAT2197R-EL-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HAT2197R-EL-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HAT2197R-EL-E คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : HAT2197R-EL-E
    ผู้ผลิต : Renesas Electronics America
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Active
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 16A (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 8A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : -
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2650pF @ 10V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.5W (Ta)
    อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SOP
    แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)