Microsemi Corporation - APTCV60HM70RT3G

KEY Part #: K6533684

หมวดหมู่ครอบครัว:: KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน ...

ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:: We specialize in Microsemi Corporation APTCV60HM70RT3G electronic components. APTCV60HM70RT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTCV60HM70RT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ส่วนจำนวน : APTCV60HM70RT3G

ผู้ผลิต : Microsemi Corporation

ลักษณะ : POWER MOD FULL BRIDGE SP3

ชุด : -

สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete

ประเภท IGBT : Trench Field Stop

องค์ประกอบ : Full Bridge Inverter

แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 600V

ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 50A

พลังงาน - สูงสุด : 250W

Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A

ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 250µA

อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V

อินพุต : Single Phase Bridge Rectifier

เทอร์มิสเตอร์ NTC : Yes

อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 175°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount

แพ็คเกจ / เคส : SP3

แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SP3

คุณอาจสนใจด้วย

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

อะไหล่ร้อน