ส่วนจำนวน :
MMBF170Q-13-F
ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 60V 0.5A
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
500mA (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
3V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
-
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
40pF @ 10V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
300mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SOT-23
แพ็คเกจ / เคส :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3