ลักษณะ :
MOSFET 2N-CH 500V 13A I4-PAC
ชุด :
HiPerFET™, PolarHT™
ประเภท FET :
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET :
Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
500V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
13A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
270 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
5V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
50nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
2630pF @ 25V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส :
i4-Pac™-5
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
ISOPLUS i4-PAC™