VS-4EWH02FNTR-M3 ราคา (USD) [269707ชิ้นสต็อก]
- 1 pcs$0.13714
- 2,000 pcs$0.12429
- 6,000 pcs$0.11571
- 10,000 pcs$0.11428
- ส่วนจำนวน:
- VS-4EWH02FNTR-M3
- ผู้ผลิต:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- คำอธิบายโดยละเอียด:
- DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK. Rectifiers Hyperfast 4A 200V 23ns
- Manufacturer's standard lead time:
- มีสินค้า
- อายุการเก็บรักษา:
- หนึ่งปี
- ชิปจาก:
- ฮ่องกง
- เป็นไปตามมาตรฐาน:
- วิธีการชำระเงิน:
-
- วิธีการจัดส่ง:
- หมวดหมู่ครอบครัว:
- KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว ...
- ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-4EWH02FNTR-M3 electronic components. VS-4EWH02FNTR-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-4EWH02FNTR-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-4EWH02FNTR-M3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ส่วนจำนวน :
VS-4EWH02FNTR-M3
ผู้ผลิต :
Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ :
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK
ชุด :
Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
สถานะส่วนหนึ่ง :
Active
ประเภทไดโอด :
Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
200V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) :
4A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
950mV @ 4A
ความเร็ว :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
20ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
3µA @ 200V
ความจุ @ Vr, F :
-
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
D-PAK (TO-252AA)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
-65°C ~ 175°C
ข่าวล่าสุด
คุณอาจสนใจด้วย
-
-
BAS70E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A
-
MMBD1401A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode
-
BAS21-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V
-
VS-12EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast
-
VS-15EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers 15A 600V 22ns Hyperfast
อะไหล่ร้อน
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08