Vishay Siliconix - SI4808DY-T1-GE3

KEY Part #: K6521866

SI4808DY-T1-GE3 ราคา (USD) [103241ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.38063
  • 2,500 pcs$0.37874

ส่วนจำนวน:
SI4808DY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน and ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SI4808DY-T1-GE3 electronic components. SI4808DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4808DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4808DY-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SI4808DY-T1-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
ชุด : LITTLE FOOT®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 5.7A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 800mV @ 250µA (Min)
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 20nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
พลังงาน - สูงสุด : 1.1W
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SO

คุณอาจสนใจด้วย
  • J175

    ON Semiconductor

    JFET P-CH 30V 0.35W TO92.

  • 2N5460G

    ON Semiconductor

    JFET P-CH 40V 0.35W TO92.

  • 2N5461G

    ON Semiconductor

    JFET P-CH 40V 0.35W TO92.

  • 2N5457G

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 0.31W TO92.

  • 2N5458G

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 0.31W TO92.

  • PN4391

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 30V 625MW TO92.