ส่วนจำนวน :
SI7742DP-T1-GE3
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
ชุด :
SkyFET®, TrenchFET®
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
60A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.7V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
115nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
5300pF @ 15V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
5.4W (Ta), 83W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PowerPAK® SO-8
แพ็คเกจ / เคส :
PowerPAK® SO-8