ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
100mA (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
10 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.4V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
-
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
40pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
330mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SOT-23-3
แพ็คเกจ / เคส :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3