ON Semiconductor - FDMC008N08C

KEY Part #: K6396494

FDMC008N08C ราคา (USD) [101592ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.38488

ส่วนจำนวน:
FDMC008N08C
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor FDMC008N08C electronic components. FDMC008N08C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMC008N08C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMC008N08C คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FDMC008N08C
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
ชุด : PowerTrench®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 80V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 60A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 7.8 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 120µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2150pF @ 40V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 57W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerWDFN

คุณอาจสนใจด้วย