Infineon Technologies - FF800R17KE3NOSA1

KEY Part #: K6533168

FF800R17KE3NOSA1 ราคา (USD) [110ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$417.25024

ส่วนจำนวน:
FF800R17KE3NOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
IGBT MODULE VCES 1200V 800A.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies FF800R17KE3NOSA1 electronic components. FF800R17KE3NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF800R17KE3NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF800R17KE3NOSA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FF800R17KE3NOSA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : IGBT MODULE VCES 1200V 800A
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท IGBT : -
องค์ประกอบ : 2 Independent
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 1700V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : -
พลังงาน - สูงสุด : 4450W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 800A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 5mA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 72nF @ 25V
อินพุต : Standard
เทอร์มิสเตอร์ NTC : No
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 125°C
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส : Module
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Module

คุณอาจสนใจด้วย
  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT40GL120JU3

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APT100GLQ65JU2

    Microsemi Corporation

    POWER MODULE - IGBT.

  • APT40GL120JU2

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.